| 有效期 |
长期 |
| 类 别 |
电工电气 - 低压电器 |
| 规格型号 |
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| 产品数量 |
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| 地区 |
辽宁 - 大连 |
| 详细链接 |
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N 沟道增强型场效应晶体管
JCS840C/F
产品特性
◆8A,500V,RDS=0.8 @VGS=10V
◆低栅极电荷(典型值41nC)
◆低Crss (典型值35pF)
◆开关速度快
◆产品全部经过雪崩测试
◆高抗dv/dt 能力
概述
JCS840C/F 是N 沟道增强型场效应晶体管，采用平面条
形的VDMOS 技术制造。利用该技术可以减小最低导通电阻，
提高开关特性，提高产品在雪崩击穿和串并模式下承受高能
量脉冲的能力。
该器件适用于高效率开关电源供应器和半桥式的电子镇
流器。
◆8A,500V,RDS=0.8 @VGS=10V
◆低栅极电荷(典型值41nC)
◆低Crss (典型值35pF)
◆开关速度快
◆产品全部经过雪崩测试
◆高抗dv/dt 能力
另还提供各种型号场效应管：JCS1L60/1N60/2N60/4N60/7N60/JCS630/730/740/830/840
