| 有效期 |
长期 |
| 类 别 |
电工电气 - 低压电器 |
| 规格型号 |
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| 产品数量 |
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| 地区 |
北京 |
| 详细链接 |
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集成的NV SRAM、实时时钟、晶体、电源失效控制电路和锂电池
访问时钟寄存器方式与静态RAM完全相同，这些寄存器位于RAM中最高的8个地址
世纪字节寄存器；Y2K兼容
完全的非易失性，可在缺少电源的条件下工作10年以上
BCD编码的世纪、年、月、日、星期、小时、分和秒数据，可自动进行闰年补偿至2100年
电池电压指示标志
电源失效写保护，允许±10%的VCC电源容差
锂电池处于开路的保鲜模式，直至首次电源加电
仅对于DIP模块：
标准的JEDEC字节宽度32k x 8静态RAM引脚排列
仅对于PowerCap模板:
可表贴的封装直接与包含电池和晶体的PowerCap连接
可替换的电池(PowerCap)
上电复位输出
引脚兼容于其他密度的DS174xP时间保持RAM
提供工业级温度范围：-40°C至+85°C
UL认证
